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電磁兼容設(shè)計

更新時間:2023-02-14      點擊次數(shù):802

在混合集成電路電磁兼容性設(shè)計時首先要做功能性檢驗,在方案已確定的電路中檢驗電磁兼容性指標(biāo)能否滿足要求,若不滿足就要修改參數(shù)來達到指標(biāo),如發(fā)射功率、工作頻率、重新選擇器件等。其次是做防護性設(shè)計,包括濾波、屏蔽、接地與搭接設(shè)計等。第三是做布局的調(diào)整性設(shè)計,包括總體布局的檢驗,元器件及導(dǎo)線的布局檢驗等。通常,電路的電磁兼容性設(shè)計包括:工藝和部件的選擇、電路布局及導(dǎo)線的布設(shè)等。混合集成電路有三種制造工藝可供選擇,單層薄膜、多層厚膜和多層共燒厚膜。薄膜工藝能夠生產(chǎn)高密度混合電路所需的小尺寸、低功率和高電流密度的元器件,具有高質(zhì)量、穩(wěn)定、可靠和靈活的特點,適合于高速高頻和高封裝密度的電路中。但只能做單層布線且成本較高。

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